بررسی خواص ساختاری والکترونی نانوسیم gap محصور شده در نانولوله gan

خواص ساختاری و اکترونی انبوه نیترید گالیم، سه نانولوله زیگزاگ (?و?)، (?و??) و (?و??) و نانوسیم ورتسایت فسفید گالیم محصور شده در نانولوله ی (?و??) نیترید گالیم با استفاده از نظریه تابعی چگالی و تقریب شیب تعمیم یافته مورد بررسی قرار گرفته است. پس از بهینه سازی ساختاری نانولوله ها، تغییر شعاع حلقه ی نیتروژن نسبت به شعاع حلقه گالیم (باکلینگ شعاعی) و همین طور گاف انرژی محاسبه شده است. با افزایش شعاع نانولوله ها باکلینگ شعاعی کاهش و گاف انرژی افزایش می یابد. محاسبات ساختاری و الکترونی روی نانوسیم فسفید گالیم قبل از وارد شدن به نانولوله (?و??) انجام شده و کشیده شدن اتم های فسفر به بیرون نسبت به اتم های گالیم و گاف انرژی غیر مستقیم مشاهده شده است و پس از وارد کردن نانوسیم به نانولوله برهم کنش قابل ملاحظه بین اتم های سطح خارجی نانوسیم و نانولوله مشاهده می شود که به دلیل ضخامت زیاد نانوسیم بوده وموجب تغییر شکل قابل ملاحظه در ساختار وکاهش شدید گاف انرژی در آن شده است. این برهم کنش دراین نمونه از نانوکابل برای درک بهتر سیستم های هیبریدی نانوسیم – نانولوله ساخته شده از ترکیبات غیر کربنی می تواند بسیار مفید باشد